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Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
1.10
1.05
1.00
*Notes:
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.4
2.0
1.6
1.2
0.95
1. V GS = 0V
2. I D = 250uA
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 49A
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-100
-50 0 50 100 o 150
200
0.4
-100
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
500
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
70
100
10
Operation in This Area
100 μ s
1ms
100ms
60
50
40
T C = 25 C
T J = 150 C
R θ JC = 1.13 C/W
1
0.1
is Limited by R DS(on)
SINGLE PULSE
o
o
o
10ms
DC
30
20
10
50 75 100 o
0.01
1
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
T C , Case Temperature [ C]
125
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
P DM
1. Z θ JC (t) = 1.13 C/W Max.
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
-1
1
10
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB150N10 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
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